الترانزستور الثنائي القطب مضخمًا. يبقى الترانزستور الذي يؤدي وظيفة المضخم في حالة توصيل، ولكن قوة الإشارة تتفاوت. ويؤدي رفع قوة الإشارة إلى سريان الإلكترونات الحرة الموجودة في الباعث إلى القاعدة بسرعة أعلى، مما يؤدي بدوره إلى وصول عدد أكبر من الإلكترونات إلى المجمع. وهكذا يزداد سريان التيار من الباعث إلى المجمع، مع ازدياد قوة الإشارة.
ويقلل خفض قوة الإشارة سرعة الإلكترونات، ولذا يقل التيار الذي يسري من الباعث إلى المجمع مع نقصان قوة الإشارة.
ويتناسب ازدياد وانخفاض التيار الضعيف الذي يسري إلى القاعدة، أيضًا، مع تغيرات قوة الإشارة، ولذا فإن التيار الذي يسري من الباعث إلى المجمع نسخة مطابقة لهذا التيار باستثناء القوة. وهكذا يضخم الترانزستور التيار الضعيف بإنتاج تيار أقوى بكثير، ومطابق لهذا التيار الضعيف.
ويعمل الترانزستور م س م بنفس مبادئ الترانزستور س م س، ولكن فولتيات الترانزستور م س م معاكسة لفولتيات الترانزستور س م س.
ترانزستور تأثير مجالي ذو أكسيد فلزي وشبه موصل (س م س) . يوصل التيار الكهربائي في شكل سريان إلكترونات بين منطقتين سليكونيتين محورتين: المصدر والمفرغ. يستقبل المصدر فولتية أكثر إيجابية من فولتية المفرغ. ولكن لكي يسري التيار يجب أن يستقبل طرف آخر يسمى البوابة أيضًا فولتية موجبة. وتجذب هذه الفولتية إلكترونات من الأساس وعبر منطقة تسمى منطقة البوابة مكونة بذلك قناة غنية بالإلكترونات لمرور التيار.
ترانزستورات التأثير المجالي ذات الأكاسيد الفلزية وأشباه الموصلات. أكثر ترانزستورات التأثير المجالي شيوعًا هي ترانزستورات التمذافام المستخدمة في الرقائق الحاسوبية. ويعمل ترانزستور التأثير المجالي بتكوين مجال كهربائي يجذب الإلكترونات إلى منطقة البوابة، أو يبعد الإلكترونات عن المنطقة. ويسري التيار عندما ينجذب عدد مناسب من الإلكترونات إلى منطقة البوابة.